温度制御下にて最大96個のICへの
高電圧TDDB試験が可能
多チャンネル恒温高電圧TDDB試験システム
多チャンネル恒温高電圧TDDB試験システム（IF-TD101）
Mulch-Channel Temperature Controlled High Voltage TDDB Test System
本システムでは、最大20kVの電圧を用いて、絶縁油中にある最大96個のICに対してTDDB試験を実施することが可能です。TDDB試験のTDDBとは、Time Dependent Dielectric Breakdownの略で経時的酸化膜破壊試験のことです。半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ電気的絶縁のために必要とされる酸化膜の破壊が発生します。この破壊時間を測定し、製品の絶縁寿命を見積もることができます。
本システムの特徴
- 絶縁油の温度は室温程度から最大200℃まで調整可能であり、高温環境中での加速試験も可能です。
- 自動測定モードでは、ロボットアームにより破壊したICへの高圧接続を自動切断します。
- 素子への印加電圧は交流、直流、いずれも選択することが可能です。
- デジタルアイソレーター等、高い絶縁耐圧を必要する素子の絶縁寿命の評価に最適です。
製品スペック
入力電源
AC100V，50/60Hz, 1kVA
最大磁束変化率
11～20ｋT/sec （刺激コイルによる）
周波数設定
10～50Hz（2.5Hz可変）
出力設定
10～100％（1％可変）
パルス幅
200～450μs（刺激コイルによる）
磁場波形
バイフェージック
外形寸法
W340 × D265 × H175mm
重 量
本体： 約15kg
刺激コイル： 約1.5kg
電撃保護の形式
クラスⅠ
電撃保護の程度
BF形装着部
