多チャンネル恒温高電圧TDDB試験システム（IF-TD101）
Mulch-Channel Temperature Controlled High Voltage TDDB Test System

本システムでは、最大20kVの電圧を用いて、絶縁油中にある最大96個のICに対してTDDB試験を実施することが可能です。TDDB試験のTDDBとは、Time Dependent Dielectric Breakdownの略で経時的酸化膜破壊試験のことです。半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ電気的絶縁のために必要とされる酸化膜の破壊が発生します。この破壊時間を測定し、製品の絶縁寿命を見積もることができます。

• 1. 絶縁油の温度は室温程度から最大200℃まで調整可能であり、高温環境中での加速試験も可能です。
• 2. 自動測定モードでは、ロボットアームにより破壊したICへの高圧接続を自動切断します。
• 3. 素子への印加電圧は交流、直流、いずれも選択することが可能です。
• 4. デジタルアイソレーター等、高い絶縁耐圧を必要する素子の絶縁寿命の評価に最適です。